基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法，辐射探测器阵列包括：多层石墨烯、多层石墨烯接触电极、半导体衬底、绝缘层、欧姆接触电极，其中多层石墨烯为宏观组装石墨烯纳米膜，多层石墨烯与半导体衬底形成异质结，当辐射粒子入射时，可以被多层石墨烯及半导体吸收，在内建电场中产生光生载流子；辐射探测器阵列由若干单像素直接型辐射探测器组成，每个单像素直接型辐射探测器上的电极组成二维面阵电极层；读出电路设置在面阵电极层上。本发明可与传统CMOS集成工艺相结合，并通过外部读出电路实现高灵敏度、低探测极限的阵列辐射探测器。
基本信息
专利标题 ：
基于多层石墨烯/半导体的辐射探测器阵列及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582907A
申请号 ：
CN202210463755.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐杨刘欣雨吕建杭方文章高超
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
刘静
优先权 ：
CN202210463755.X
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L31/028 H01L31/115
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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