辐射探测器及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种能够提供高清晰度和高分辨率CT光图像的多通道阵列辐射探测器。辐射探测器具有在长度方向和宽度方向安排成点阵的半导体光探测元件和与它们一对一地安排的闪烁器元件。该闪烁器元件具有在闪烁器元件的侧表面形成的薄的金属光反射材料层、和由混合了充填在邻接的金属光反射材料层之间的重金属元素粒子的树脂组成的辐射屏蔽层。

基本信息

专利标题：

辐射探测器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101248371A

申请号：

CN200680031189.4

公开（公告）日：

2008-08-20

申请日：

2006-03-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

古市真治新田英雄

申请人：

日立金属株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

郭放

优先权：

CN200680031189.4

主分类号：

G01T1/20

IPC分类号：

G01T1/20

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01T

核辐射或X射线辐射的测量

G01T1/00

X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量

G01T1/16

辐射强度测量

G01T1/20

用闪烁探测器

法律状态

2017-05-03 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101716970683
IPC(主分类) : G01T 1/20
专利号 : ZL2006800311894
申请日 : 20060313
授权公告日 : 20120222
终止日期 : 20160313

2012-02-22 ：

授权

2008-10-15 ：

实质审查的生效

2008-08-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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