探测器及制造方法
公开
摘要
本发明提供一种探测器及制造方法，所述探测器包括探测单元，每个探测单元包括：第一P型掺杂层；形成于第一P型掺杂层的正面的第一N型掺杂层；环绕第一N型掺杂层的P型隔离层；形成于第一N型掺杂层上的第二N型掺杂层以及第二P型掺杂层；第一N型掺杂层和第二N型掺杂层作为探测单元的N端，第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和P型隔离层作为探测单元的P端。在本发明中，包括探测单元，再利用探测单元以提高电子探测的探测速度和探测灵敏度，并以此实现低能高速电子的探测，而且，上述电子探测器可兼容于现有的CMOS工艺，有利于提高产品良率，且制造成本较低。
基本信息
专利标题 ：
探测器及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300570A
申请号 ：
CN202111640457.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙德明
申请人 ：
上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202111640457.5
主分类号 ：
H01L31/115
IPC分类号 ：
H01L31/115 H01L31/0352 H01L31/18 G01R31/26
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
