一种光电探测器及其制造方法
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摘要
本发明涉及一种光电探测器的制造方法，包括步骤：第一步，于晶圆硅正面形成绝缘层（2），绝缘层下晶圆硅为硅衬底层（1）；第二步，按照预设的图案，刻蚀出贯穿于绝缘层层（2）、伸入硅衬底层（1）的凹槽（3）；第三步，在凹槽（3）内填充材料锗，生长出锗探测层（4）；对晶元硅背面进行整体减薄，直到界面处有缺陷（5）的锗探测层也被去除。本发明还涉及上述制造方法制造的光电探测器。本发明主要是通过工艺和结构的改进，以获得优质的光电二极管的探测层，并且使得光电探测器表面的暗电流得以降低，提高光电探测器的质量和探测性能。
基本信息
专利标题 ：
一种光电探测器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112289892A
申请号 ：
CN202011202290.X
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
CN112289892B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
黄文军唐昭焕陈世杰张斌
申请人 ：
联合微电子中心有限责任公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
代理机构 ：
江苏坤象律师事务所
代理人 ：
赵新民
优先权 ：
CN202011202290.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/103 H01L31/0216
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20201102
申请日 : 20201102
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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