光电探测器的制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种光电探测器的制造方法，包括：提供第一半导体衬底；采用键合工艺在所述第一半导体衬底的上表面形成探测层；对所述探测层进行刻蚀，暴露出所述第一半导体衬底的部分上表面；在所述第一半导体衬底的所述部分上表面和所述探测层的上表面形成介质层。本发明提供的光电探测器的制造方法，采用键合工艺在半导体衬底的上表面形成探测层，可以减小硅基锗探测器的暗电流。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111129228A
申请号 ：
CN201911403215.7
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN111129228B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
张鹏唐波李志华李彬刘若男
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN201911403215.7
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/18 H01L31/101
相关图片
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20191230
申请日 : 20191230
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111129228A.PDF
PDF下载
