波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法
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摘要
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法。所述波导集成的GeSn光电探测器，包括GeSnOI衬底以及均位于所述GeSnOI衬底表面的光纤‑波导模斑耦合器、SiN光波导和器件结构；所述器件结构，包括沿所述GeSnOI衬底的轴向方向设置于所述GeSnOI衬底上的GeSn吸收层；所述SiN光波导的输出端沿平行于所述GeSnOI衬底的方向与所述GeSn吸收层的中心对齐连接；所述光纤‑波导模斑耦合器包括与所述SiN光波导的输入端连接的SiN反锥型波导，且所述SiN反锥型波导与所述SiN光波导同层设置。本发明能够有效避免光探测器速率与量子效率间相互制约的问题，提高了GeSn光电探测器的灵敏度以及稳定性。
基本信息
专利标题 ：
波导集成的GeSn光电探测器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110896112A
申请号 ：
CN201810958988.0
公开（公告）日 ：
2020-03-20
申请日 ：
2018-08-22
授权号 ：
CN110896112B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳王庆王书晓余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号3号楼
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201810958988.0
主分类号 ：
H01L31/103
IPC分类号 ：
H01L31/103 H01L31/0312 H01L31/0232 H01L31/18
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法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-04-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/103
申请日 : 20180822
申请日 : 20180822
2020-03-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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