波导型GePb红外光电探测器及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1‑xPbx，其中，0
基本信息
专利标题 ：
波导型GePb红外光电探测器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111834486A
申请号 ：
CN201910243160.1
公开（公告）日 ：
2020-10-27
申请日 ：
2019-03-28
授权号 ：
CN111834486B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳王庆王书晓余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号3号楼
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201910243160.1
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/115 H01L31/028 H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/18
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-11-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/101
申请日 : 20190328
申请日 : 20190328
2020-10-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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