基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法
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摘要
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述基于Ge波导的GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底上的锗波导层和器件结构；所述器件结构，连接所述锗波导层，包括由Ge1‑xSnx材料构成的吸收层，其中，0
基本信息
专利标题 ：
基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729373A
申请号 ：
CN201810776256.X
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2018-07-16
授权号 ：
CN110729373B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号3号楼
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201810776256.X
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L31/0232 H01L31/18
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/105
申请日 : 20180716
申请日 : 20180716
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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