一种波导型光电探测器
授权
摘要
本申请提供一种波导型光电探测器法。该波导型光电探测器包括：形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区；形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层；形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层，第二掺杂硅层为N型掺杂；形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层；形成于本征材料层表面的第三掺杂层；形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区；以及光波导，其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联，实现对不同波段的光的探测，由此，该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节；此外，能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系，同时也便于与其它器件集成。
基本信息
专利标题 ：
一种波导型光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921056964.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-08
授权号 ：
CN210136887U
授权日 ：
2020-03-10
发明人 ：
涂芝娟汪巍余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘元霞
优先权 ：
CN201921056964.2
主分类号 ：
H01L31/101
IPC分类号 ：
H01L31/101 H01L31/11 H01L31/0352 H01L31/153
法律状态
2020-03-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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