基于光子晶体的波导型锗光电探测器
授权
摘要
本实用新型提供一种基于光子晶体的波导型锗光电探测器，所述锗光电探测器包括：硅波导结构；锗光电探测器，连接于所述硅波导结构，所述锗光电探测器的锗吸收区及所述锗吸收区外围的周边硅材料区中具有周期性排列的介质材料，以形成具有慢光效应的光子晶体结构。本实用新型与传统波导型锗光电探测器相比，可以实现更高效的光吸收效率，通过减小器件尺寸，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。
基本信息
专利标题 ：
基于光子晶体的波导型锗光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921254955.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-05
授权号 ：
CN210040212U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
汪巍方青涂芝娟曾友宏蔡艳余明斌
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2015室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN201921254955.4
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L31/09 H01L31/18 G02B6/122 G02B6/13
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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