为检测可见光而优化的半导体辐射探测器
授权
摘要
一种半导体辐射探测器，包括：半导体材料的体层，并且在体层的第一表面上按以下顺序设置：第二导电类型的半导体的改进的内部栅极层、第一导电类型的半导体的势垒层以及第二导电类型的半导体的像素掺杂部。像素掺杂部适于连接到至少一个像素电压，以创建对应于像素掺杂部的像素。该器件包括第一导电类型的第一接触部。所述像素电压被定义为像素掺杂部和第一接触部之间的电势差。体层为第一导电类型的。在体层的与第一表面相对的第二表面上，不存在导电后侧层，其将次级电荷传送到该器件的有源区外部或用作辐射进入窗。
基本信息
专利标题 ：
为检测可见光而优化的半导体辐射探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101356654A
申请号 ：
CN200680050458.1
公开（公告）日 ：
2009-01-28
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿尔托·奥罗拉
申请人 ：
阿尔托·奥罗拉
申请人地址 ：
芬兰埃斯波
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200680050458.1
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L27/148
法律状态
2010-08-11 ：
授权
2009-03-25 ：
实质审查的生效
2009-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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