用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片...
实质审查的生效
摘要
提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片(1)的方法，具有如下步骤：‑提供半导体晶片(2)，‑将第一接触层(5)施加到半导体晶片(2)上，‑将承载装置(8)固定在半导体晶片(2)处，‑将半导体晶片(2)分割成半导体本体(13)，和‑将第二接触层(14)施加到半导体本体(13)上。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片和一种发射辐射的器件。
基本信息
专利标题 ：
用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片和发射辐射的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365296A
申请号 ：
CN202080060611.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亚历山大·F·普福伊费尔托比亚斯·迈耶科比尼安·佩尔茨尔迈尔托马斯·施瓦茨塞巴斯蒂安·霍伊布尔
申请人 ：
欧司朗光电半导体有限公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
周涛
优先权 ：
CN202080060611.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/38 H01L33/42 H01L33/44 H01L33/60 H01L33/62
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20200812
申请日 : 20200812
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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