圆片及其边缘的半导体结构
授权
摘要
本申请涉及半导体发光相关领域，公开了一种半导体结构，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括第一外延层和第二外延层；第一电极和第二电极，分别位于所述第一外延层和所述第二外延层上，透明导电层，位于所述第一外延层和所述第一电极之间。本申请公开的半导体结构在晶圆的一些特定区域排布，不仅在外观上与圆片上的LED芯片存在差异，而且参数上也存在差异，可以确保在固晶时被有效识别，在圆片出货时免分选，提高生产效率。并且该半导体结构与LED芯片一起制作，不需要额外的步骤，不增加成本。
基本信息
专利标题 ：
圆片及其边缘的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020688623.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-29
授权号 ：
CN211957648U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
赵进超李超李萌马新刚
申请人 ：
杭州士兰明芯科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道10号大街300号1幢1层
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202020688623.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L23/544
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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