在半导体圆片的边缘制造斜面的方法
专利权的视为放弃
摘要
一种用于让半导体圆片(1)的边缘成形为斜边的方法，这边缘由一个倾斜安放的砂轮圆盘磨削而成。处在由压紧机构(3，6)组成的压紧装置中的半导体圆片(1)的对中可藉助于一与之成合金接触的钼质圆片(2完成，钼质圆片紧贴着仿形圆盘(9)转动。采用具有适当颗粒度和粘结剂的金钢石砂轮圆盘是特别有利的。
基本信息
专利标题 ：
在半导体圆片的边缘制造斜面的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106903A
申请号 ：
CN87106903.2
公开（公告）日 ：
1988-04-20
申请日 ：
1987-10-13
授权号 ：
CN1005943B
授权日 ：
1989-11-29
发明人 ：
吉利·德劳希
申请人 ：
BBC勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN87106903.2
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B24B9/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
1991-09-18 ：
专利权的视为放弃
1989-11-29 ：
审定
1988-04-06 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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2、
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