晶圆边缘曝光系统及方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括:升降平台,可沿其中心轴垂直升降,其上表面用于放置晶圆,晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域;曝光镜头,其曝光时可在焦平面产生环形光,该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐;其中,晶圆的上表面涂覆有光刻胶,当曝光镜头进行曝光时,升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面,对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构,整个曝光系统非常简单,可以减少成本;对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式,速度非常快,节省了工艺时间;采用一次性曝光方式,比起旋转方式的WEE,工艺时间非常短,提升了生产效率。
基本信息
专利标题 :
晶圆边缘曝光系统及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114355731A
申请号 :
CN202011090371.5
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2020-10-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
崔栽荣贺晓彬杨涛刘金彪李亭亭
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘广达
优先权 :
CN202011090371.5
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 H01L21/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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