贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆
授权
摘要
本发明公开一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，该方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其中对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。借此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，不会蚀刻到基体晶圆背面的氧化膜，且可有效地对形成在基体晶圆的平台部的氧化膜进行蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124657A
申请号 ：
CN200580048490.1
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武井时男吉泽重幸宫崎进横川功能登宣彦
申请人 ：
信越半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晨
优先权 ：
CN200580048490.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/304 H01L21/306 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2010-04-14 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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