贴合式SOI晶圆的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种贴合式晶圆的制造方法，通过离子注入法制作于基底晶圆上具有BOX层及SOI层的贴合式SOI晶圆，透过在含有氩气的氛围下进行平坦化热处理后，进行调整SOI层的膜厚度的牺牲氧化处理，其中，使通过剥离所制作的贴合式SOI晶圆中BOX层的膜厚度为500nm以上，形成氧化膜，以使施加牺牲氧化处理的SOI层的膜厚度(t)与牺牲氧化处理中所形成的牺牲氧化膜的膜厚度(d)之间的关系，满足0.9d＞t＞0.45d。由此能够预先防范于SOI晶圆的制造中，自由于平坦化热处理而呈悬垂状而残留的SOI层的最外周部的颗粒的发生。
基本信息
专利标题 ：
贴合式SOI晶圆的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108140553A
申请号 ：
CN201680059158.3
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-08-29
授权号 ：
CN108140553B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
橫川功
申请人 ：
信越半导体株式会社
申请人地址 ：
日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
代理机构 ：
北京京万通知识产权代理有限公司
代理人 ：
许天易
优先权 ：
CN201680059158.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/265 H01L21/324 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20160829
申请日 : 20160829
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
