一种提高晶圆良率的晶圆制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种晶圆制造方法，该方法在消光光阑制作前，先在切割道上形成工艺辅助结构。本发明解决了因涂胶不均匀使得结构厚度均匀差，从而导致指纹芯片采集图像的像素值不均匀的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种提高晶圆良率的晶圆制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512440A
申请号 ：
CN202210063669.X
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜桐黄昊刘自涛
申请人 ：
上海菲戈恩微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路497号2层203室
代理机构 ：
成都蓉创智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
谭新民
优先权 ：
CN202210063669.X
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/027 G06V40/13
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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