一种提高产品良率的LED芯片制备方法
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摘要
本发明实施例公开了一种提高产品良率的LED芯片制备方法，包括步骤：制作GaAs外延片；在所述GaAs外延片上制作光刻胶掩膜图形，腐蚀GaP形成裸露区域；在所述裸露区域上沉积一层SiO2；SiO2腐蚀；ZnO薄膜沉积；Zn扩散；ZnO薄膜去除；退火；去除SiO2；ITO薄膜蒸镀，P面金属电极制作以及N面金属电极制作。本发明LED芯片的制备过程中，在晶片表面经过Zn扩散，RTP高温处理后，外延片表面呈现四棱锥型粗糙面，增加外部出光效率，提高产品亮度，提高产品良率。该工艺方法简单操作，成本低，适用于正极性GaAs基LED芯片的制作。
基本信息
专利标题 ：
一种提高产品良率的LED芯片制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112885934A
申请号 ：
CN201911201871.9
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN112885934B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
徐晓强王梦雪吴向龙闫宝华王成新
申请人 ：
山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新区金马路9号
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
黄晓燕
优先权 ：
CN201911201871.9
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/22
申请日 : 20191129
申请日 : 20191129
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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