一种提高mini LED键合良率的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种提高mini LED键合良率的方法，包括在GaAs衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；对P型半导体层进行粗化处理，在粗化面一侧蒸镀一层SiO2；在蓝宝石衬底的光滑一侧蒸镀一层SiO2；将外延片和蓝宝石衬底的SiO2层抛光平整；将二氧化硅溶胶旋涂在外延片的SiO2层表面；将蓝宝石衬底SiO2层与外延片SiO2层对齐，完成键合后，去除GaAs衬底获得。本发明通过将小粒径二氧化硅溶胶旋涂在已抛光的外延片键合层上，可增加键合层表面的平整度，同时起到促进键合的作用，有效增强键合层之间的键合强度，提高键合良率。
基本信息
专利标题 ：
一种提高mini LED键合良率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335268A
申请号 ：
CN202210260749.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王克来李俊承戴文陈宝徐培强熊珊潘彬王向武
申请人 ：
南昌凯捷半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
代理机构 ：
南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人 ：
高娜
优先权 ：
CN202210260749.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/44
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220317
申请日 : 20220317
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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