键合衬底及键合方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种键合衬底及键合方法。一种键合衬底，由一第一衬底和一第二衬底键合形成，包括：内部散热结构，所述内部散热结构为环绕金属柱设置的金属层，埋设在第一衬底和第二衬底的至少一个内；导热结构，所述导热结构连接所述内部散热结构，并暴露于键合后衬底的表面。本发明可以在不改变现有芯片堆叠工艺的情况下，通过增加内部散热结构、外部散热结构、及导热结构，使得三维堆叠芯片的散热效率大幅提升，解决芯片工作温度升高、导线电阻加大导致的芯片耗电量加大和工作速度降低的问题，延长芯片使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
键合衬底及键合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496948A
申请号 ：
CN202210071206.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邢程刘伟杰
申请人 ：
芯盟科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202210071206.8
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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