直接铜键合DCB衬底
授权
摘要
本实用新型涉及一种直接铜键合DCB衬底，直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括第一铜层，第一铜层包括第一基岛、第二基岛以及第三基岛；其中，第二基岛部分包围第一基岛，第三基岛部分包围第二基岛，第一基岛、第二基岛以及第三基岛分别包括载片台和第一类引出端，载片台和第一类引出端通过覆铜走线形成连续导电结构，第一基岛、第二基岛以及第三基岛的第一类引出端依次设置于第一侧边的第一端，第一基岛、第二基岛以及第三基岛的载片台位于第一侧边的与第一端相对的第二端。
基本信息
专利标题 ：
直接铜键合DCB衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021703147.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN212991090U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
陈颜吴美飞
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
骆希聪
优先权 ：
CN202021703147.4
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/367 H01L23/492
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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