芯片键合方法
公开
摘要
本发明提供了一种芯片键合方法，通过在器件晶圆的正面临时键合第一载片晶圆，可以在器件晶圆的背面形成背连线结构，以将器件晶圆中的互连结构从器件晶圆的背部引出，通过在器件晶圆的背面键合第二载片晶圆，可以将第一载片晶圆解键合，在将器件晶圆与第二载片晶圆解键合后先保留第二键合胶，第二键合胶可以在后续对器件晶圆进行划片时保护器件晶圆的背面，防止划片过程中产生的颗粒物或刻蚀副产物附着在器件晶圆的背面上，后续去除第二键合胶时可同步去除第二键合胶上的颗粒物或刻蚀副产物，保证了划片后产生的单个芯片的背面的洁净度，可提高将芯片的背面键合至目标晶圆上的键合效果。
基本信息
专利标题 ：
芯片键合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628241A
申请号 ：
CN202011473320.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭万里刘天建
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202011473320.0
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/78 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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