一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构，通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破裂的风险，可以提高产品的产量并可以增加产率。
基本信息
专利标题 ：
一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334774A
申请号 ：
CN202011059931.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘远杰周祖源薛兴涛
申请人 ：
盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202011059931.0
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/3105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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