键合结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种键合结构及其形成方法，所述键合结构的形成方法包括：提供第一基底，所述第一基底内形成有电接触部，所述第一基底具有相对的第一表面和第二表面，所述电接触部表面与所述第一基底的第一表面齐平；提供第二基底，所述第二基底具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第二基底的第一表面形成有单晶硅层和键合介质层，所述键合介质层形成于所述单晶硅层表面；将所述第二基底通过所述键合介质层与所述第一基底的第一表面键合；所述第二基底与所述第一基底键合之后，从所述第二基底的第二表面减薄所述第二基底，暴露出所述单晶硅层表面；在所述单晶硅层表面形成半导体器件。所述键合结构的键合质量得到提高。
基本信息
专利标题 ：
键合结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334806A
申请号 ：
CN202111600312.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2019-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范鲁明刘毅华刘峻
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202111600312.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/50 H01L23/00 H01L25/00 H01L23/538 H01L25/18 H01L27/11548 H01L27/11551 H01L27/11575 H01L27/11578
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190215
申请日 : 20190215
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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