POP结构及其形成方法
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摘要
POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料；在模塑材料中模制的器件管芯；穿透模塑材料的组件通孔(TAV)；以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件与再分配线电连接。
基本信息
专利标题 ：
POP结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108962876A
申请号 ：
CN201810603222.0
公开（公告）日 ：
2018-12-07
申请日 ：
2013-05-06
授权号 ：
CN108962876B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
陈旭贤陈志华叶恩祥吕孟升陈承先
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201810603222.0
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L25/03 H01L25/10 H01L25/16 H01L21/60 H01L21/768 H01L21/683 H01L21/56
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20130506
申请日 : 20130506
2018-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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