形成存储结构的方法
公开
摘要
一种形成存储结构的方法包括以下步骤。在半导体衬底之上形成互补金属氧化物半导体电路系统。形成位线阵列以电连接到互补金属氧化物半导体电路系统。在位线阵列之上形成存储阵列。存储阵列通过形成字线堆叠以及形成第一组堆叠存储单元及第二组堆叠存储单元。在位线阵列上形成字线堆叠，且所述字线堆叠具有第一侧表面及第二侧表面。沿着第一侧表面形成第一组堆叠存储单元。沿着第二侧表面形成第二组堆叠存储单元，其中所述第二组堆叠存储单元与所述第一组堆叠存储单元交错。在存储阵列之上形成电连接到互补金属氧化物半导体电路系统的源极线阵列。
基本信息
专利标题 ：
形成存储结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267681A
申请号 ：
CN202110789402.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-07-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
简士轩林孟汉吴汉威杨丰诚
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
王素琴
优先权 ：
CN202110789402.4
主分类号 ：
H01L27/11587
IPC分类号 ：
H01L27/11587 H01L27/1159 H01L27/11597
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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