形成包括硅碳材料的结构的方法和使用该方法形成的结构
公开
摘要
公开了用于形成包括硅碳材料的结构的方法和系统以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括向反应空间提供第一气体，向反应空间提供硅碳前体，停止硅碳前体向反应空间的流动，在反应空间内形成第一等离子体，从而在衬底表面上沉积硅碳材料，以及可选地用活性物种处理硅碳材料以形成处理过的硅碳材料。
基本信息
专利标题 ：
形成包括硅碳材料的结构的方法和使用该方法形成的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606481A
申请号 ：
CN202111477223.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
须佐圭雄梅原直己黄祐敏
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111477223.3
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/32 C23C16/455 C23C16/515 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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