纳米多孔硅碳材料的制备方法、极片
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摘要
一种纳米多孔硅碳材料的制备方法和极片，其中方法包括以下步骤：(1)将硅粉和镁粉以摩尔比为1：2‑2.5混合均匀，加热制备成分均一的硅镁合金；(2)将制得的硅镁合金在真空下进行去合金化热处理溶解去除硅镁合金晶格上的镁原子形成空位，硅原子与空位重组形成纳米多孔结构，得到含镁的纳米多孔硅前驱体；(3)对纳米多孔硅前驱体进行氧化处理，其表层形成连续的二氧化硅纳米层，继而进行酸洗去除残余硅镁合金和镁，再通过过滤和烘干制得纳米多孔硅材料；(4)将制备的纳米多孔硅材料与碳源混合进行CVD碳包覆，制备出纳米多孔硅碳材料。本发明以去合金化法制得纳米多孔硅，其中高温真空处理及氧化改善多孔结构的可控性和碳层均匀致密包覆。
基本信息
专利标题 ：
纳米多孔硅碳材料的制备方法、极片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109950499A
申请号 ：
CN201910252209.X
公开（公告）日 ：
2019-06-28
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN109950499B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
姚林林贺劲鑫王海林李亚飞缪永华薛驰
申请人 ：
中天新兴材料有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市经济技术开发区齐心路101号
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘丽华
优先权 ：
CN201910252209.X
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/485 H01M4/62 H01M4/131 H01M10/0525 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2019-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20190329
申请日 : 20190329
2019-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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