一种宏量制备碳硅纳米材料装置
授权
摘要
本实用新型属于纳米材料技术领域,涉及一种宏量制备碳硅纳米材料装置,包括等离子电源控制的等离子体枪,等离子体枪的内腔连接有烃类气体和含硅气体储罐,等离子体枪的下端设置有冷却容器,冷却容器中设置有释放冷却气体的气体冷却环。本实用新型通过控制烃类气体、含硅气体的分腔进气或同腔进气,分别制备纳米碳硅混合体材料和高纯纳米碳化硅前驱体材料。本实用新型提供的宏量制备碳硅纳米材料装置,实现了碳硅纳米材料的工业化制备,大幅度降低了材料制造成本。
基本信息
专利标题 :
一种宏量制备碳硅纳米材料装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921052496.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-06
授权号 :
CN210366998U
授权日 :
2020-04-21
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
金雪莉
申请人地址 :
浙江省台州市椒江区开元路198号
代理机构 :
蓝天知识产权代理(浙江)有限公司
代理人 :
孙炜
优先权 :
CN201921052496.1
主分类号 :
C01B32/15
IPC分类号 :
C01B32/15 C01B33/029 C01B33/03 C01B32/963 B82Y30/00 H01M4/36 H01M4/38 H01M4/583 H01M10/0525 C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B32/00
碳;其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
法律状态
2020-04-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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