一种宏量制备硅纳米材料装置
授权
摘要
本实用新型属于纳米材料技术领域，涉及一种宏量制备硅纳米材料装置，包括等离子电源控制的等离子体枪，等离子体枪的内腔连接有惰性气体储罐、硅源储罐，等离子体枪的下端设置有生长控制器，生长控制器的下端设置有冷却容器，冷却容器中设置有释放冷却气体的气体冷却环。本实用新型提供的宏量制备硅纳米材料装置，实现了硅纳米材料尤其是硅纳米线的工业化制备，大幅度降低了材料制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种宏量制备硅纳米材料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921052428.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-06
授权号 ：
CN210656179U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
金雪莉
申请人地址 ：
浙江省台州市椒江区开元路198号
代理机构 ：
蓝天知识产权代理(浙江)有限公司
代理人 ：
孙炜
优先权 ：
CN201921052428.5
主分类号 ：
C01B33/03
IPC分类号 ：
C01B33/03 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/03
使用卤化硅或卤化硅烷的分解，或其以氢作为惟一的还原剂的还原
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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