一种纳米硅碳复合材料及其制备方法和应用

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摘要

本发明实施例涉及一种纳米硅碳复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括：表面气相沉积硅基材料的碳纳米材料，以及外部包覆的经物理除磁处理的碳包覆层；硅基材料为由硅和二氧化硅复合生成的存在弥散分布的硅微晶结构的氧化亚硅，或者由硅、二氧化硅和金属掺杂元素或金属掺杂元素的氧化物复合生成的存在弥散分布的硅基合金微晶结构的改性氧化亚硅；碳纳米材料包括碳黑、碳纤维、石墨烯、单壁碳管、多壁碳管和纳米石墨等中的一种或几种的组合；碳纳米材料的平均粒径为1‑5000nm；金属掺杂元素包括B、Al、Na、Mg、Ca、Ba、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Li、Mo、Ge、Sn中的一种或几种；硅微晶结构或者硅基合金微晶结构的颗粒尺寸为1‑50nm。

基本信息

专利标题：

一种纳米硅碳复合材料及其制备方法和应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110660984A

申请号：

CN201910977358.2

公开（公告）日：

2020-01-07

申请日：

2019-10-15

授权号：

CN110660984B

授权日：

2022-04-12

发明人：

刘柏男罗飞李泓

申请人：

溧阳天目先导电池材料科技有限公司

申请人地址：

江苏省常州市溧阳市昆仑街道泓口路218号C幢132室（江苏中关村科技产业园内）

代理机构：

北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

李楠

优先权：

CN201910977358.2

主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/36 H01M4/38 H01M4/583 H01M10/0525 B82Y30/00

法律状态

2022-04-12 ：

授权

2020-02-04 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20191015

2020-01-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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