一种新型碳硅负极材料的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及负极材料技术领域，提出了一种新型碳硅负极材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将硅烷偶联剂、锂盐、碳源、表面活性剂、聚丙烯腈与溶剂混合搅拌，制备内轴纺丝液；S2、将金属盐溶液与聚乙烯吡咯烷酮搅拌，制备外轴纺丝液；S3、对所述内轴纺丝液和所述外轴纺丝液进行纺丝制备得到前驱体；S4、将所述前驱体在惰性气氛或还原性气氛中烧结，形成所述碳硅负极材料。通过上述技术方案，解决了现有技术中的充放电效率不高，循环性能较差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种新型碳硅负极材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284479A
申请号 ：
CN202111579750.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弓景耀李轶
申请人 ：
博路天成新能源科技有限公司
申请人地址 ：
河北省衡水市武强县工业区
代理机构 ：
河北捷风专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
安文龙
优先权 ：
CN202111579750.5
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/485 H01M4/583 H01M10/0525 D01D5/34
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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