蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法

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摘要

本发明提供一种蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法。本发明的蚀刻含硅材料的物质的方法，包括：对一硅材料提供一含胺蚀刻剂；以及蚀刻该硅材料。本发明的形成微机械结构的方法包括：提供至少一微机械结构层于一基底上方，微机械结构层是被一牺牲硅层所支撑着；利用一含胺蚀刻剂同时地蚀刻牺牲硅层以及前段步骤所造成的聚合物残留物。也就是说，本发明在使用含胺蚀刻剂的后段清洁程序中，一并去除牺牲层以及聚合物残留物，而不需增加额外的蚀刻制程。

基本信息

专利标题：

蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1834292A

申请号：

CN200610064861.1

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-03-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈斐筠吴子扬陈世雄

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610064861.1

主分类号：

C23F1/24

IPC分类号：

C23F1/24