利用了表面保护物质的薄膜形成方法
公开
摘要
根据本发明的一实施例，利用了表面保护物质的薄膜形成方法，包括如下步骤：掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜，上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供应步骤，向上述腔体内部供应上述表面保护物质；以及净化步骤，对上述腔体内部进行净化。
基本信息
专利标题 ：
利用了表面保护物质的薄膜形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293175A
申请号 ：
CN202111172039.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金才玟金荷娜崔雄辰韩智娟金河俊
申请人 ：
株式会社EGTM
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市灵通区新院路304,3-303（远泉洞，灵通伊诺普莱克斯）
代理机构 ：
北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
许玉顺
优先权 ：
CN202111172039.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/40 C23C16/52 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
