含硅物质形成装置

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摘要

本发明的实施方式涉及含硅物质形成装置。提供在不将形成排出路径的配管卸下的情况下，将在含有硅及卤素元素的原料物质的反应、或含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质的反应中产生的副产物进行处理的含硅物质形成装置。根据实施方式，含硅物质形成装置具备反应室、排出机构、处理液罐、供给机构和流路切换构件。来自反应室的排出物质经由排出机构的排出路径而排出。供给机构将处理液从处理液罐经由供给管线向排出路径供给，利用所供给的处理液，将通过反应而产生的副产物在排出路径中处理。流路切换构件在与反应室及供给管线各自之间切换排出路径的连通状态。

基本信息

专利标题：

含硅物质形成装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111485286A

申请号：

CN202010069926.1

公开（公告）日：

2020-08-04

申请日：

2020-01-21

授权号：

CN111485286B

授权日：

2022-05-10

发明人：

内田健哉福井博之植松育生

申请人：

株式会社东芝;铠侠股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

吴倩

优先权：

CN202010069926.1

主分类号：

C30B25/16

IPC分类号：

C30B25/16 C30B25/18 C30B28/14 C30B29/10