环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途
专利权的终止
摘要
本发明目的在于提供新型的含硅膜形成材料，尤其是含有适用于PECVD装置的环状硅氧烷化合物的低介电常数绝缘膜用材料，并提供使用该材料的含硅膜及含这些膜的半导体器件。本发明涉及含有下述通式(1)(式中，A表示含有选自氧原子、硼原子及氮原子中至少一种的基团，n表示1或2、x表示2～10的整数)所示环状硅氧烷化合物的含硅膜形成材料及其用途等。
基本信息
专利标题 ：
环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111501A
申请号 ：
CN200680003726.4
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
原大治高森真由美
申请人 ：
东曹株式会社
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200680003726.4
主分类号 ：
C07F7/21
IPC分类号 ：
C07F7/21 C23C16/42 H01L21/312
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/21
具有至少1个含硅而不含碳的环的环状化合物
法律状态
2018-03-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C07F 7/21
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20150715
终止日期 : 20170117
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20150715
终止日期 : 20170117
2015-07-15 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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