含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法
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摘要
一种含硅薄膜的形成方法，此方法是将衬底置于反应室，然后于反应室中导入一含硅气体，以进行化学气相沉积工艺，而于衬底上形成含硅薄膜，其中，至少控制反应室上内壁的温度低于50℃。
基本信息
专利标题 ：
含硅薄膜的形成方法与减少微粒数目的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101033541A
申请号 ：
CN200610058935.0
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘哲宏郑博伦庄慧伶林俊安
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610058935.0
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/24 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2009-12-09 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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