减少碳杂质的SOG层形成装置及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种减少碳杂质的SOG层形成装置，包括：SOG供应模块，通过第一供应管道与喷嘴连通，以向所述喷嘴供应SOG溶液；臭氧发生模块，通过第二供应管道与所述第一供应管道连通，以使所述臭氧与所述SOG溶液在第一供应管道中混合。本发明提供的减少碳杂质的SOG层形成装置能够对SOG溶液进行碳杂质的去除，从而能够提高器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
减少碳杂质的SOG层形成装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334707A
申请号 ：
CN202011081807.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金志勋白国斌高建峰王桂磊丁云凌田光辉
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈晓瑜
优先权 ：
CN202011081807.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/316
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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