减少制程环境内的杂质的装置及其方法
授权
摘要
本发明提供一种减少制程环境内的杂质的装置及其方法。该装置包含置于制程环境中用于半导体制程的待制物，设置于待制物上的保护结构，此保护结构为避免制程环境内的杂质微粒污染上述待制物，及位于此保护结构表面任一区域的吸附膜，此吸附膜为吸附处于制程环境内的杂质微粒。本发明更提供一种减少制程环境内的杂质的方法，其包含在用于半导体制程的待制物上形成一保护结构，以避免制程环境内的杂质微粒污染待制物，且在此保护结构表面的任一区域形成吸附膜，以吸附处于制程环境内的杂质微粒。
基本信息
专利标题 ：
减少制程环境内的杂质的装置及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009202A
申请号 ：
CN200610002910.9
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑智文陈信元何俊宜陈崇仁梁硕仁李智富
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610002910.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/027 G03F1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-11-26 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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