鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，鳍结构的形成方法包括：提供一衬底，衬底上具有至少两个间隔排列的鳍组；形成隔离膜，填充鳍片及鳍组；形成图形化的掩模层，其开口暴露鳍组间的隔离膜；利用图形化的掩模层，打断至少部分隔离膜的分子键；对隔离膜执行热处理；去除预设深度的隔离膜，以暴露的鳍片为鳍结构。本发明中，通过打断至少部分鳍组间的隔离膜的分子键，从而调整鳍组间的隔离膜在热处理时的膨胀率，使得经过热处理后，鳍组内的鳍片两侧的隔离膜的应力较为均衡，从而改善鳍片的弯曲或倾斜的问题。
基本信息
专利标题 ：
鳍结构的形成方法及FinFET器件的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334658A
申请号 ：
CN202111643230.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘云珍
申请人 ：
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202111643230.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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