堆叠膜结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法
公开
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种堆叠膜结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法。所述堆叠膜结构包括：第一膜层，所述第一膜层包括第一表面，所述第一膜层中包括掺杂元素；第二膜层，位于所述第一膜层的所述第一表面，所述掺杂元素用于调整所述第一表面的电子密度，以降低所述第一膜层与所述第二膜层之间的应力。本发明减小了包括第一膜层和第二膜层的堆叠结构内部的应力。
基本信息
专利标题 ：
堆叠膜结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300462A
申请号 ：
CN202111643142.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈广辉张高升龚宸周毅罗兴安
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈丽丽
优先权 ：
CN202111643142.6
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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