半导体器件结构以及形成方法
授权
摘要
提供了一种半导体器件结构和形成方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成第一半导体鳍和第二半导体鳍。第二半导体鳍比第一半导体鳍宽。该方法还包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠，栅极堆叠延伸跨越第一半导体鳍和第二半导体鳍。该方法还包括：在第一半导体鳍上方形成第一源极/漏极结构，第一源极/漏极结构是p型掺杂的。另外，该方法包括：在第二半导体鳍上形成第二源极/漏极结构，第二源极/漏极结构是n型掺杂的。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构以及形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110970365A
申请号 ：
CN201910921779.3
公开（公告）日 ：
2020-04-07
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN110970365B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
徐行徽陈柏年钟怡萱谢博璇林志勇
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910921779.3
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20190927
申请日 : 20190927
2020-04-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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