半导体器件结构及其形成方法
公开
摘要
提供半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底上方的鳍结构和形成在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括第一层和在第一层上方的填充层。该栅极结构包括形成在栅极结构的填充层上方的保护层，并且保护层通过填充层与第一层分离。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628522A
申请号 ：
CN202210054266.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄懋霖朱龙琨徐崇威余佳霓卢俊甫江国诚程冠伦王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210054266.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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