半导体器件及用于形成栅极结构的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种半导体器件，包括栅极介质，在半导体衬底顶部，所述半导体衬底包括邻近所述栅极介质的源极和漏极区域；栅极导体，在所述栅极介质顶部；保形介质钝化叠层，设置在至少所述栅极导体侧壁上，所述保形介质钝化叠层包括多个保形介质层，其中没有电路径延伸穿过整个所述叠层；以及接触，至所述源极和漏极区域，其中穿过所述保形介质钝化叠层的不连续裂缝基本消除所述接触和所述栅极导体之间的短路。本发明还提供了一种用于制造上述半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及用于形成栅极结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790740A
申请号 ：
CN200510115145.7
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·H·恩格尔S·M·卢卡里尼J·D·西尔韦斯特里王允愈
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510115145.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/40 H01L21/336 H01L21/28
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法律状态
2019-11-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20120725
终止日期 : 20181110
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20120725
终止日期 : 20181110
2012-07-25 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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