具有栅极切割结构的半导体器件及其形成方法
公开
摘要
提供了具有栅极切割结构的半导体器件及其形成方法。根据本公开的方法包括提供包括正面和背面的工件。该工件包括衬底、在衬底的第一部分之上的第一多个沟道构件、在衬底的第二部分之上的第二多个沟道构件、夹在衬底的第一部分和第二部分之间的隔离特征。该方法还包括形成环绕第一多个沟道构件和第二多个沟道构件中的每一个的接合栅极结构，在隔离特征中形成引导开口，延伸该引导开口穿过接合栅极结构以形成将接合栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构的栅极切割开口，以及将电介质材料沉积到栅极切割开口中以形成栅极切割特征。
基本信息
专利标题 ：
具有栅极切割结构的半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582804A
申请号 ：
CN202210100872.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谌俊元王培宇苏焕杰邱奕勋庄正吉蔡庆威程冠伦王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN202210100872.X
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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