器件及其形成方法
公开
摘要
本发明公开了一种器件及其形成方法。器件包括基本上包括由膜形成的第一膜的第一密封构件、第二密封构件、包括第一接触点的第一电路构件和包括第二接触点的第二电路构件。该器件形成有封闭空间，该封闭空间由第一密封构件和第二密封构件所围成且与器件外的外部空间隔绝。第一电路构件和第二电路构件被封闭在封闭空间中。第一密封构件和第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。凹凸部与第一电路构件和第二电路构件中的至少一个接触，并覆盖与第一接触点和第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。本发明整个器件的厚度可以做得非常薄。
基本信息
专利标题 ：
器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114630537A
申请号 ：
CN202111212678.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
上田真慈桥口徹
申请人 ：
日本航空电子工业株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都涩谷区道玄坂一丁目21番1号
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
满靖
优先权 ：
CN202111212678.2
主分类号 ：
H05K5/06
IPC分类号 ：
H05K5/06 H05K5/00 H05K7/00 H05K13/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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