波导器件及其形成方法

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摘要

本发明涉及一种波导器件及其形成方法。所述波导器件的形成方法包括如下步骤：提供一具有波导芯层的衬底；形成图案化的掩膜层于所述波导芯层表面，所述图案化的掩膜层包括多个子掩膜以及位于相邻所述子掩膜之间的开口；进行多次如下循环步骤，形成多个波导结构，所述循环步骤包括：选择一子掩膜作为目标子掩膜；遮蔽除所述目标子掩膜之外的其他所述子掩膜、并沿与所述目标子掩膜相邻的所述开口刻蚀，形成一波导结构。本发明有利于稳定波导的侧壁形貌，降低波导的传输损耗，同时有利于控制脊型波导的刻蚀深度，得到稳定的光栅、调制器和探测器结构。

基本信息

专利标题：

波导器件及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111624710A

申请号：

CN202010344128.5

公开（公告）日：

2020-09-04

申请日：

2020-04-27

授权号：

CN111624710B

授权日：

2022-06-10

发明人：

何来胜向鹏飞

申请人：

联合微电子中心有限责任公司

申请人地址：

重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN202010344128.5

主分类号：

G02B6/136

IPC分类号：

G02B6/136