一种半导体结构及其形成方法、SRAM器件，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的多个沟道叠层以及横跨多个沟道叠层的伪栅结构，伪栅结构覆盖沟道叠层的部分顶壁和部分侧壁，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层；形成覆盖伪栅结构的侧壁，且露出伪栅结构顶部的层间介质层；去除伪栅结构，在层间介质层中形成栅极开口；去除沟道叠层顶部的一个或多个沟道层；去除牺牲层，形成通道；在栅极开口和通道中形成栅极结构。本发明实施例去除所述沟道叠层顶部的一个或多个所述沟道层，从而半导体结构中的沟道层的数量减少，进而在半导体结构工作时，所述半导体结构的沟道的整体导通电流减小，使得半导体结构能够满足工艺需求。