封装结构及其形成方法
授权
摘要
一种封装结构及其形成方法，所述形成方法提供若干半导体芯片，每个半导体芯片的功能面上具有焊盘，所述焊盘表面上形成有金属凸块，所述功能面上还具有第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述金属凸块；将所述若干半导体芯片的非功能面粘合在载板上；在所述载板上形成包覆所述半导体芯片的侧壁以及非功能面上的第一塑封层的第二塑封层；平坦化去除所述载板上的部分所述第一塑封层和第二塑封层，暴露出所述金属凸块的顶部表面；在所述平坦化后的第一塑封层和第二塑封层的表面上形成与金属凸块连接的外部接触结构。本发明的方法提高了封装结构中再布线层与焊盘的电学连接性能。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534441A
申请号 ：
CN201910675802.5
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN110534441B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
石磊
申请人 ：
南通通富微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼1477室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高德志
优先权 ：
CN201910675802.5
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/60 H01L23/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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